檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "a-Si:H".ekeyword (精準) and year="98"
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統,藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等,分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積,並針對薄膜的結構及光電性質加以分析,以設計出非晶…
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…